RECTANGULAR SHAPED QUANTUM-WIRE FABRICATION BY GROWTH MODE SWITCHING BETWEEN ISOTROPIC AND ANISOTROPIC ATOMIC LAYER EPITAXY

被引：5

作者：

ISSHIKI, H

IWAI, S

MEGURO, T

AOYAGI, Y

SUGANO, T

机构：

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1994年 / 145卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(94)91177-0

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

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页码：976 / 977

页数：2

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共 2 条

[1] CRYSTALLOGRAPHIC SELECTIVE GROWTH OF GAAS BY ATOMIC LAYER EPITAXY [J].

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