IMPEDANCE-TRANSFORMATION CIRCUIT FOR OPERATION AT 4.2 DEGREES K

被引:3
作者
SNAVELY, BB
YUTZY, JC
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1720813
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
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页码:703 / &
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共 2 条
[1]   SILICON INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].
HOFSTEIN, SR ;
HEIMAN, FP .
PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1963, 51 (09) :1190-&