TEMPERATURE-DEPENDENT DEFECT DENSITY-MEASUREMENTS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON

被引：11

作者：

ZAFAR, S

SCHIFF, EA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(89)90668-6

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：618 / 620

页数：3

共 6 条

BAUM, J ;

GLEASON, KK ;

PINES, A ;

GARROWAY, AN ;

REIMER, JA .

SMITH, ZE ;

ALJISHI, S ;

SLOBODIN, D ;

CHU, V ;

WAGNER, S ;

LENAHAN, PM ;

ARYA, RR ;

BENNETT, MS .

[3]

SMITH ZE, 1988, AMORPHOUS SILICON RE, P409

[4]

STREET RA, IN PRESS PHYS REV

[5]

XU X, IN PRESS MATERIALS R, V149

[6]

ZAFAR S, 1989, IN PRESS PHYS REV B, V40