INVESTIGATION OF THE CHARGING EFFECT ON THIN SIO2 LAYERS WITH THE ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM

被引：19

作者：

ITOH, H ^{[1
]}

NAKAMURA, K ^{[1
]}

HAYAKAWA, H ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CTR DEVICE DEV,OHME 198,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1989年 / 7卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584527

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1532 / 1535

页数：4