共 3 条
NEW HETEROSTRUCTURE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR (HJFET)
被引:4
作者:
SIMMONS, JG
[1
]
TAYLOR, GW
[1
]
机构:
[1] AT&T BELL LABS,HOLMDEL,NJ 07733
关键词:
D O I:
10.1049/el:19860799
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
引用
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页数:3
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