A STUDY OF CONTAMINATION DURING REACTIVE ION ETCHING OF SIO2

被引：12

作者：

VALENTE, M ^{[1
]}

QUEIROLO, G ^{[1
]}

机构：

[1] ATES COMPONENTI ELETTR SPA,SGS,MILANO,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115765

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1132 / 1135

页数：4

共 4 条

[1] RIE CONTAMINATION OF ETCHED SILICON SURFACES [J].

EPHRATH, LM ;

BENNETT, RS .

EPHRATH, LM ;

PETRILLO, EJ .

[3]

EPHRATH LM, 1981, SOLID STATE TECHNOL, V182

[4] COMPETITIVE MECHANISMS IN REACTIVE ION ETCHING IN A CF4 PLASMA [J].

SCHWARTZ, GC ;

ROTHMAN, LB ;

SCHOPEN, TJ .