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RECONSTRUCTION OF STEPS ON THE SI(111)2X1 SURFACE
被引:69
作者
:
FEENSTRA, RM
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FEENSTRA, RM
STROSCIO, JA
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STROSCIO, JA
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW LETTERS
|
1987年
/ 59卷
/ 19期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRevLett.59.2173
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
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页码:2173 / 2176
页数:4
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ELECTRONIC-STRUCTURE OF THE SI(111)2X1 SURFACE BY SCANNING-TUNNELING MICROSCOPY
STROSCIO, JA
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STROSCIO, JA
FEENSTRA, RM
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FEENSTRA, RM
FEIN, AP
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FEIN, AP
[J].
PHYSICAL REVIEW LETTERS,
1986,
57
(20)
: 2579
-
2582
[12]
STROSCIO JA, IN PRESS J VAC SCI A
[13]
POLAR-ON-NONPOLAR EPITAXY - SUB-LATTICE ORDERING IN THE NUCLEATION AND GROWTH OF GAP ON SI (211) SURFACES
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[J].
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY,
1982,
21
(02):
: 534
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ELECTRONIC-STRUCTURE OF THE SI(111)2X1 SURFACE BY SCANNING-TUNNELING MICROSCOPY
STROSCIO, JA
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FEENSTRA, RM
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FEENSTRA, RM
FEIN, AP
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FEIN, AP
[J].
PHYSICAL REVIEW LETTERS,
1986,
57
(20)
: 2579
-
2582
[12]
STROSCIO JA, IN PRESS J VAC SCI A
[13]
POLAR-ON-NONPOLAR EPITAXY - SUB-LATTICE ORDERING IN THE NUCLEATION AND GROWTH OF GAP ON SI (211) SURFACES
WRIGHT, SL
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[J].
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1982,
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