QUASI-ONE-DIMENSIONAL EFFECTS IN SUB-MICRON WIDTH SILICON INVERSION-LAYERS

被引：24

作者：

WHEELER, RG

CHOI, KK

WISNIEFF, R

机构：

来源：

SURFACE SCIENCE | 1984年 / 142卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(84)90277-2

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：19 / 24

页数：6

相关论文

共 3 条

[1] ALTSHULER BL, 1981, JETP LETT+, V33, P499
[2] PROJECTION PHOTOLITHOGRAPHY-LIFTOFF TECHNIQUES FOR PRODUCTION OF 0.2-MU-M METAL PATTERNS
FEUER, MD
PROBER, DE
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1981, 28 (11) : 1375 - 1378
[3] LOCALIZATION AND ELECTRON-ELECTRON INTERACTION EFFECTS IN SUBMICRON-WIDTH INVERSION-LAYERS
WHEELER, RG
CHOI, KK
GOEL, A
WISNIEFF, R
PROBER, DE
[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1982, 49 (22) : 1674 - 1677