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HIGH-ENERGY LIGHT EMMISSION FROM JUNCTIONS IN GAASXP1-X DIODES
被引:12
作者
:
AINSLIE, N
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0
AINSLIE, N
RUPPRECHT, H
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RUPPRECHT, H
PILKUHN, M
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0
PILKUHN, M
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1964年
/ 35卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1713012
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:105 / &
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共 6 条
[1]
BURNS G, 1963, B AM PHYS SOC, V8, P88
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MIKULYAK, RM
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1962,
5
(SEP-O)
: 313
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1962,
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-
83
[6]
HOLONYAK N, 1962, METALLURGY SEMICONDU, P49
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BURNS G, 1963, B AM PHYS SOC, V8, P88
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FOLBERTH OG, 1955, Z NATURFORSCH, VA 10, P502
[4]
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1962,
5
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: 313
-
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[5]
COHERENT (VISIBLE) LIGHT EMISSION FROM GA(AS1-XPX) JUNCTIONS
HOLONYAK, N
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HOLONYAK, N
BEVACQUA, SF
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BEVACQUA, SF
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1962,
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83
[6]
HOLONYAK N, 1962, METALLURGY SEMICONDU, P49
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