MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL GAAS LAYERS FOR MESFETS

被引：23

作者：

WOOD, CEC ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88926

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：746 / 748

页数：3

相关论文

共 4 条

[1]

Cho A. Y., 1975, Progress in Solid State Chemistry, V10, P157, DOI 10.1016/0079-6786(75)90005-9

[2] GAAS MESFET PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY (MBE) [J].

CHO, AY ;

CHEN, DR .

[3] GAAS FET PREPARED WITH MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-FILMS [J].

NAGANUMA, M ;

KAMIMURA, K ;

TAKAHASHI, K ;

SAKAI, Y .

[4]

NOZAKI T, 1975, 5TH P INT S GAAS REL, P46