MICROPLASMA OBSERVATIONS IN SILICON JUNCTIONS USING A SCANNING ELECTRON BEAM

被引：12

作者：

GAYLORD, JW

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1966年 / 113卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2424108

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：753 / &

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共 2 条

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (04) :1476-&

[2] EVALUATION OF PASSIVATED INTEGRATED CIRCUITS USING THE SCANNING ELECTRON MICROSCOPE [J].

EVERHART, TE ;

WELLS, OC ;

MATTA, RK .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1964, 111 (08) :929-936