共 3 条
- [1] KAHNG D, 1961, OCT DETR M EL SOC
- [2] MATOVICH E, 1961, OCT DETR M EL SOC
- [3] IMPURITY DISTRIBUTION IN EPITAXIAL SILICON FILMS[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1962, 109 (11) : 1055 - 1061THOMAS, COKAHNG, DMANZ, RC
A KINETIC THEORY FOR AUTODOPING FOR VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF GERMANIUM
被引：26
作者：
GROSSMAN, JJ
机构：
关键词：
D O I：
10.1149/1.2425584
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：1065 / 1068
页数：4
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