ON THE BARRIER HEIGHT OF A METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT WITH A THIN INTERFACIAL LAYER

被引：16

作者：

CHATTOPADHYAY, P

DAW, AN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(85)90071-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：831 / 836

页数：6

共 6 条

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