SIMPLE OHMIC CONTACTS ON GALLIUM ARSENIDE

被引：14

作者：

DALE, JR

TURNER, RG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(63)90104-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：388 / &

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共 5 条

[1] CUNNEL FA, 1959, SERL TECH J, V9, P104
[2] EMELIANENKO OV, 1958, SOV PHYS-TECH PHYS, V3, P1094
[3] LOWEN J, 1958, LINCOLN LABORATORY Q, P9
[4] NASLEDOV DN, 1958, SOV PHYS-TECH PHYS, V3, P726
[5] HIGH-FREQUENCY GALLIUM ARSENIDE POINT-CONTACT RECTIFIERS
SHARPLESS, WM
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1959, 38 (01): : 259 - 269