HIGH-FREQUENCY GALLIUM ARSENIDE POINT-CONTACT RECTIFIERS

被引：31

作者：

SHARPLESS, WM

机构：

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1959年 / 38卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1959.tb01577.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：259 / 269

页数：11

共 6 条

[1] CUNNEL FA, 1957, PROGR SEMICOND, V2, P37
[2] A GALLIUM ARSENIDE MICROWAVE DIODE
JENNY, DA
[J]. PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1958, 46 (04): : 717 - 722
[3] WAFER-TYPE MILLIMETER WAVE RECTIFIERS
SHARPLESS, WM
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1956, 35 (06): : 1385 - 1402
[4] STRUTHERS JD, UNPUB
[5] WELKER H, 1952, Z NATURFORSCH A, V7, P744
[6] THE PREPARATION AND PROPERTIES OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS
WHELAN, JM
WHEATLEY, GH
[J]. JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1958, 6 (2-3) : 169 - &