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SPECTRAL DISTRIBUTION OF ROOM TEMPERATURE GAAS-JUNCTION LUMINESCENCE AS A FUNCTION OF BASE THICKNESS
被引:5
作者
:
LUCOVSKY, G
论文数:
0
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0
h-index:
0
LUCOVSKY, G
VARGA, AJ
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VARGA, AJ
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1965年
/ 53卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1965.3829
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:491 / &
相关论文
共 2 条
[1]
HILL DE, 1965, B AM PHYS SOC, V10, P97
[2]
RADIATIVE RECOMBINATION THROUGH IMPURITY LEVELS IN GAAS P-N JUNCTIONS
LUCOVSKY, G
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0
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LUCOVSKY, G
REPPER, CJ
论文数:
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REPPER, CJ
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1963,
3
(05)
: 71
-
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共 2 条
[1]
HILL DE, 1965, B AM PHYS SOC, V10, P97
[2]
RADIATIVE RECOMBINATION THROUGH IMPURITY LEVELS IN GAAS P-N JUNCTIONS
LUCOVSKY, G
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LUCOVSKY, G
REPPER, CJ
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1963,
3
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