PHOTOACOUSTIC MEASUREMENTS OF DOPED SILICON-WAFERS

被引：7

作者：

AMATO, G ^{[1
]}

BENEDETTO, G ^{[1
]}

SPAGNOLO, R ^{[1
]}

TURNATURI, M ^{[1
]}

机构：

[1] IRCI,TURIN,ITALY

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1989年 / 114卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2211140212

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

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页码：519 / 523

页数：5

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共 13 条

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