VIA HOLES FOR GAAS MMICS FABRICATED USING REACTIVE ION ETCHING

被引：22

作者：

HILTON, KP

WOODWARD, J

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850679

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：962 / 963

页数：2

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共 2 条

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