PHOTOELECTRIC EFFECTS OF IN2O3-P SI DIODES

被引：24

作者：

MATSUNAMI, H ^{[1
]}

OO, K ^{[1
]}

ITO, H ^{[1
]}

TANAKA, T ^{[1
]}

机构：

[1] KYOTO UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR,KYOTO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1975年 / 14卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.915

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：915 / 916

页数：2

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