A CORRECTION ON USE OF EINSTEIN RELATION IN DEGENERATE SEMICONDUCTORS

被引：12

作者：

BERRY, WB

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1965年 / 53卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1965.3618

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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