JUNCTION DEPTH MEASUREMENT FOR VLSI STRUCTURES

被引：3

作者：

PRUSSIN, S

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2119653

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：184 / 187

页数：4

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共 4 条

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