DELINEATION OF SHALLOW JUNCTIONS IN SILICON BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY

被引：40

作者：

SHENG, TT

MARCUS, RB

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2127525

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：881 / 884

页数：4

共 9 条

[1]

AUTONIADIS DA, 1978, 50192 US ARM TECHN R

[2]

CHANG CC, UNPUBLISHED

[3]

GOLDSMITH N, 1974, JUN P SPREAD RES S G, P223

[4]

KINSBRON E, UNPUBLISHED

[5]

MARCUS RA, UNPUBLISHED

MEIERAN, ES ;

KAMINS, TI .

[7]

RUNYAN WR, 1975, SEMICONDUCTOR MEASUR, P980

SHENG, TT ;

MARCUS, RB .

[9] TECHNIQUES FOR LAPPING AND STAINING ION-IMPLANTED LAYERS [J].

WU, CP ;

DOUGLAS, EC ;

MUELLER, CW ;

WILLIAMS, R .