THE MECHANISM FOR ACTIVATING TIN IMPLANTS IN GAAS

被引：7

作者：

BENSALEM, R

SEALY, BJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0042-207X(86)90141-7

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：921 / 923

页数：3

共 7 条

[1] DIFFUSION OF TIN IN GALLIUM ARSENIDE [J].

GOLDSTEIN, B ;

KELLER, H .

GWILLIAM, R ;

BENSALEM, R ;

SEALY, B ;

STEPHENS, K .

PHYSICA B & C, 1985, 129 (1-3) :440-444

[3]

HOLM NE, 1979, I PHYS C SER, V46, P573

HURLE, DTJ .

[5]

SEALY BJ, UNPUB

[6]

SURRIDGE RK, 1977, I PHYS C SER A, V33, P161

[7] DIFFUSION OF TIN IN N-TYPE GAAS [J].

TUCK, B ;

BADAWI, MH .