STUDY OF BREAKDOWN FIELDS OF OXIDES GROWN ON REACTIVE ION ETCHED SILICON SURFACE - IMPROVEMENT OF BREAKDOWN LIMITS BY OXIDATION OF THE SURFACE

被引：19

作者：

LIFSHITZ, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2120030

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1549 / 1550

页数：2

共 5 条

[1] RIE CONTAMINATION OF ETCHED SILICON SURFACES [J].

EPHRATH, LM ;

BENNETT, RS .

[2] REACTIVE ION ETCHING FOR VLSI [J].

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SCHWARTZ, GC ;

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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1979, 16 (02) :410-413

[5]

WEICK WW, UNPUB