A RESONANT-GATE SILICON SURFACE TRANSISTOR WITH HIGH-Q BAND-PASS PROPERTIES (SURFACE STATE MODULATION - MOS DEVICES - E/T)

被引：91

作者：

NATHANSON, HC

WICKSTROM, RA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754323

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：84 / +

页数：1

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共 5 条

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