LATERAL EPITAXIAL-GROWTH OVER OXIDE

被引：5

作者：

WILSON, LO

CELLER, GK

机构：

[1] AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ,, USA, AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ, USA

来源：

关键词：

LATERAL EPITAXIAL GROWTH - SEEDING WINDOWS - SOLID-LIQUID INTERFACE;

D O I：

10.1149/1.2113658

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

(Edited Abstract)

引用

页码：2748 / 2758

页数：11