THERMALLY ANNEALED SILICON-NITRIDE FILMS - ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RADIATION EFFECTS

被引：19

作者：

STEIN, HJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.334393

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2040 / 2047

页数：8

共 34 条

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