RELIABILITY STUDY OF GAAS MESFETS

被引：24

作者：

IRIE, T ^{[1
]}

NAGASAKO, I ^{[1
]}

KOHZU, H ^{[1
]}

SEKIDO, K ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT CO LTD,DIV SEMICOND,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1976年 / 24卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1128850

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：321 / 328

页数：8

相关论文

共 4 条

[1] Abbott D. A., 1975, 1975 International Electron Devices Meeting. (Technical digest), P243, DOI 10.1109/IEDM.1975.188870
[2] KOHZU H, 1975, 1975 IEDM TECHNICAL, P247
[3] OHATA K, 1974, 12TH ANN P IEEE REL, P278
[4] BISTABLE SWITCHING ON GALLIUM-ARSENIDE SCHOTTKY GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ROSSEL, P
CABOT, JJ
GRAFFEUI.J
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1974, 25 (09) : 510 - 511