RADIATION-DAMAGE OF THERMALLY OXIDIZED MOS CAPACITORS

被引：6

作者：

KAMPF, U ^{[1
]}

WAGEMANN, HG ^{[1
]}

机构：

[1] HAHN MEITNER INST,ELECTR DIV,POSTFACH 390128,1 BERLIN,FED REP GER

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1976年 / 23卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18338

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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