VALENCE-BAND DENSITY OF STATES FOR SI AND SIO2 USING AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY

被引：8

作者：

HOUSTON, JE ^{[1
]}

LAGALLY, MG ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1976年 / 13卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.568883

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：361 / 361

页数：1

共 5 条

CHING, WY ;

LIN, CC .

[2] PHOTOEMISSION MEASUREMENTS OF VALENCE LEVELS OF AMORPHOUS SIO2 [J].

DISTEFANO, TH ;

EASTMAN, DE .

[3]

FISHER DW, 1970, ADV XRAY ANAL, V13, P159

JOANNOPOULOS, JD ;

COHEN, ML .

LEY, L ;

SHIRLEY, DA ;

POLLAK, R ;

KOWALCZYK, S .