GATE CURRENT DEPENDENCE OF LOW-FREQUENCY NOISE IN GAAS-MESFETS

被引：8

作者：

DAS, MD ^{[1
]}

GHOSH, PK ^{[1
]}

机构：

[1] PENN STATE UNIV,MAT RES LAB,UNIVERSITY PK,PA 16802

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25405

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：210 / 213

页数：4

共 7 条

[1]

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