RAPID ANNEALING FACTOR FOR BIPOLAR SILICON DEVICES IRRADIATED BY FAST-NEUTRON PULSE

被引：9

作者：

MCMURRAY, LR

MESSENGER, GC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335736

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4392 / 4396

页数：5

共 4 条

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