ACCURATE PHASE CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF TRANSITION-METAL SILICON DIODES

被引：17

作者：

EVANS, HL ^{[1
]}

WU, X ^{[1
]}

YANG, ES ^{[1
]}

HO, PS ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95566

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：486 / 488

页数：3

共 3 条

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VAPAILLE, A .

MURET, P ;

DENEUVILLE, A .

NICOLLIA.EH ;

GOETZBER.A .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1967, 46 (06) :1055-+