PROPOSED VERTICAL-TYPE AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：48

作者：

UCHIDA, Y

NARA, Y

MATSUMURA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25849

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：105 / 107

页数：3

共 7 条

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