DEVELOPMENT OF A HIGHLY UNIFORM SILICON DIOXIDE ETCHING PROCESS USING RESPONSE-SURFACE METHODOLOGY

被引：7

作者：

RILEY, PE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2109061

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1971 / 1972

页数：2

共 7 条

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