DETECTIVITY OF HIGH-GAIN GAAS PHOTOCONDUCTIVE DETECTORS

被引：6

作者：

CONSTANT, M ^{[1
]}

LEFEBVRE, D ^{[1
]}

BOUSSEKEY, L ^{[1
]}

DECOSTER, D ^{[1
]}

VILCOT, JP ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LILLE 1,CTR HYPERFREQUENCES & SEMICONDUCTEURS,CNRS,LA 287,F-59655 VILLENEUVE DASCQ,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19880694

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1019 / 1021

页数：3

共 5 条

CONSTANT, M ;

BOUSSEKEY, L ;

DECOSTER, D ;

VILCOT, JP .

[2] TEMPERATURE EFFECTS ON HIGH-GAIN PHOTOCONDUCTIVE DETECTORS [J].

VILCOT, JP ;

VATERKOWSKI, JL ;

DECOSTER, D ;

CONSTANT, M .

[3]

WILSON J, 1983, OPTOELECTRONICS INTR, P306

[4]

WILSON J, 1983, OPTOELECTRONICS INTR, P328

[5]

1985, LIGHT DETECTION, V2, P134