PULSED ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ARSENIC IMPLANTATION DAMAGE IN SILICON

被引：2

作者：

BARBIER, D ^{[1
]}

LAUGIER, A ^{[1
]}

CACHARD, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LYON 1, DEPT PHYS MAT, F-69622 VILLEURBANNE, FRANCE

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1982年 / 43卷 / NC-5期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1982547

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：411 / 420

页数：10

共 15 条

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