TRANSIENT PHENOMENA IN CAPACITANCE OF GAAS SCHOTTKY BARRIER DIODES

被引：21

作者：

FURUKAWA, Y

ISHIBASHI, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1966年 / 5卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.5.837

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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页码：837 / +

页数：1

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (05) :1664-&