GAAS POWER MESFET WITH 41-PERCENT POWER-ADDED EFFICIENCY AT 35 GHZ

被引：9

作者：

KIM, B

WURTELE, M

SHIH, HD

TSERNG, HQ

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Dallas, TX,, USA, Texas Instruments Inc, Dallas, TX, USA

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/55.2039

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

TRANSISTORS, FIELD EFFECT

引用

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页码：57 / 58

页数：2

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共 7 条

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