FET MIXER WITH DRAIN LO INJECTION

被引：8

作者：

BURA, P ^{[1
]}

DIKSHIT, R ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LTD,ST ANNE BELLEVUE,QUEBEC,CANADA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1976年 / 12卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760407

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：536 / 537

页数：2

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共 2 条

[1] NOISE BEHAVIOR OF SCHOTTKY BARRIER GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS AT MICROWAVE FREQUENCIES [J].

BAECHTOLD, W .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1971, ED18 (02) :97-+

[2]

BURA P, 1976, DIGEST IEEE MTT INT, P90