EFFECT OF TEMPERATURE ON THE STIMULATED EMISSION FROM GAAS P-N JUNCTIONS

被引：79

作者：

PILKUHN, M

RUPPRECHT, H

BLUM, S

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1964年 / 7卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(64)90069-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：905 / 909

页数：5

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