NEAR-ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF PB1-XSRXSE INFRARED DIODE-LASERS USING MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWTH TECHNIQUES

被引：47

作者：

SPANGER, B

SCHIESSL, U

LAMBRECHT, A

BOTTNER, H

TACKE, M

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 26期

关键词：

D O I：

10.1063/1.100208

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2582 / 2583

页数：2

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共 11 条

[11] INFRARED DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS MADE BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF PB1-XEUXSE [J].

TACKE, M ;

SPANGER, B ;

LAMBRECHT, A ;

NORTON, PR ;

BOTTNER, H .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1988, 53 (23) :2260-2262