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AN N-WELL CMOS DYNAMIC RAM
被引:9
作者
:
SHIMOHIGASHI, K
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机构:
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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SHIMOHIGASHI, K
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MASUDA, H
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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MASUDA, H
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]
KAMIGAKI, Y
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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KAMIGAKI, Y
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ITOH, K
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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ITOH, K
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HASHIMOTO, N
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机构:
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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HASHIMOTO, N
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ARAI, E
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NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
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ARAI, E
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机构
:
[1]
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1982年
/ 29卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1982.20767
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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相关论文
共 14 条
[11]
POSA J, 1980, ELECTRONICS MAY, P119
[12]
RIDEOUT VL, 1979, IEEE T ELECTRON DEVI, V26
[13]
SHIMOHIGASHI K, 1980, DEC IEDM, P835
[14]
YANEY DS, 1979, IEEE T ELECTRON DEVI, V26
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共 14 条
[11]
POSA J, 1980, ELECTRONICS MAY, P119
[12]
RIDEOUT VL, 1979, IEEE T ELECTRON DEVI, V26
[13]
SHIMOHIGASHI K, 1980, DEC IEDM, P835
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YANEY DS, 1979, IEEE T ELECTRON DEVI, V26
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