GROWTH OF HIGH-QUALITY EPITAXIAL SILICON OVER ION-IMPLANTED BURIED ARSENIC LAYERS

被引：9

作者：

MOLINE, RA

LIEBERMAN, R

SIMPSON, J

MACRAE, AU

机构：

[1] BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA

[2] BELL TEL LABS INC, WHIPPANY, NJ 07981 USA

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1974年 / 121卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2401688

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1362 / 1366

页数：5

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共 11 条

[11]

ZERBST M, 1966, Z ANGEW PHYSIK, V22, P30