CARBONIZED LAYER FORMATION IN ION-IMPLANTED PHOTORESIST MASKS

被引：35

作者：

ORVEK, KJ

HUFFMAN, C

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1985年 / 7-8卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90421-5

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

收藏

页码：501 / 506

页数：6

相关论文

共 3 条

[1] GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT
[2] HIGH DOSE ION-IMPLANTATION INTO PHOTORESIST
OKUYAMA, Y
HASHIMOTO, T
KOGUCHI, T
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1978, 125 (08) : 1293 - 1298
[3] SMITH TC, 1983, 1982 ION IMPL EQ TEC, P196