ION-IMPLANTED GAAS P-CHANNEL MESFET WITH SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT ENHANCEMENT

被引：1

作者：

LEE, GY ^{[1
]}

BAIER, SM ^{[1
]}

CHUNG, HK ^{[1
]}

FURE, BJ ^{[1
]}

CIRILLO, NC ^{[1
]}

机构：

[1] HONEYWELL PHYS SCI CTR,BLOOMINGTON,MN 55420

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22793

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1851 / 1851

页数：1

共 5 条

[1]

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