AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY OF CLEANUP-RELATED CONTAMINATION ON SILICON SURFACES

被引：26

作者：

YANG, MG

KOLIWAD, KM

MCGUIRE, GE

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,SEMICONDUCTOR RES & DEV LAB,DALLAS,TX 75222

[2] TEXAS INSTR INC,CENT RES LAB,DALLAS,TX 75222

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1975年 / 122卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134290

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：675 / 678

页数：4

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共 12 条

[11] STRUCTURE AND ADSORPTION CHARACTERISTICS OF CLEAN SURFACES OF GERMANIUM AND SILICON [J].

SCHLIER, RE ;

FARNSWORTH, HE .

JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 1959, 30 (04) :917-926

[12]

YANG MG, UNPUBLISHED DATA