DC ELECTRO-LUMINESCENCE IN NOVEL N-P SI/ZNS-MN HETEROSTRUCTURES

被引：10

作者：

GALLEGO, JM ^{[1
]}

REEHAL, HS ^{[1
]}

THOMAS, CB ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BRADFORD,DEPT APPL PHYS,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21151

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：475 / 479

页数：5

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共 5 条

[1]

GALLEGO JM, 1982, Patent No. 8216684

[2]

KROGER H, 1978, SOLID STATE ELECTRON, V21, P643, DOI 10.1016/0038-1101(78)90331-3

[3]

Milnes AG, 1972, HETEROJUNCTIONS META

[4] THEORY OF SWITCHING PHENOMENA IN METAL-SEMI-INSULATOR-N-P+ SILICON DEVICES [J].

SIMMONS, JG ;

ELBADRY, A .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1977, 20 (12) :955-961

[5]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO