FINE-STRUCTURE OF FREQUENCY CHIRPING AND FM SIDEBAND GENERATION IN SINGLE-LONGITUDINAL-MODE SEMICONDUCTOR-LASERS UNDER 10-GHZ DIRECT INTENSITY MODULATION

被引:7
作者
LIN, C [1 ]
EISENSTEIN, G [1 ]
BURRUS, CA [1 ]
TUCKER, RS [1 ]
机构
[1] AT&T BELL LABS,CRAWFORD HILL LAB,HOLMDEL,NJ 07733
关键词
D O I
10.1063/1.95832
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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