PHOTOCONDUCTIVITY OF ZN-DOPED GAN

被引：17

作者：

EJDER, E ^{[1
]}

FAGERSTROM, PO ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LUND,INST TECHNOL,DEPT SOLID STATE PHYS,LUND,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3697(75)90024-4

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：289 / 292

页数：4

共 23 条

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